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設備產品

電漿輔助式化學氣相沉積設備

 

 

電漿輔助式化學氣相沉積(PECVD)是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術,可為沉積反應提供一些能量。與傳統的CVD方法相比,PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。 

PECVD比半導體行業中的其他CVD技術更廣泛地使用,且可以在較低的工作溫度(低於350°C)下沉積薄膜,並具有不同形狀的均勻沉積與良好的覆蓋率。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度),並提供高品質的薄膜。
  

        PECVD 與 RIE              PECVD 與 PEALD

  我們也開發不同機器但共用零組件,以達到節省成本。


 

應用领域 腔體
  • 電漿清洗。
  • SiOx、SiNxa-Si、DLC和其他薄膜。
  • 防刮顯示屏。
  • 醫療和商業產品的耐磨薄膜。
  • 封裝,絕緣層。
  • 鋁或不銹鋼腔體或石英腔,佔地面積小
  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱器包來控制腔體溫度。

 

 

配置和優點 選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達12寸晶圓。
  • 單載片或多載片。
  • 優異的薄膜均勻度小於±3%。
  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可擴充10條氣體管線。
  • 穩定的溫度控制,可將載盤加熱至400°C
  • 使用電容式耦合電漿(CCP)。
  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。
  • RPS用於腔體清潔。
  • 發射光譜儀
  • 高真空傳送系統。

 

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