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技術原理

學氣相沉積系統


CVD 作為化學氣相沉積法,是將基板暴露於一種或多種揮發性氣體中,在基板表面上反應或分解以產生所需薄膜沉積的過程。這種方法通常用於在真空環境中製造高質量,高性能的固體材料。因此,該工藝通常在半導體工業中用於製造薄膜。

 Figure 1: 化學氣相沉積涉及的步驟

在典型的CVD中,將製程氣體在環境溫度下進料到反應室中。當它們與加熱中的基板接觸時,它們發生反應或分解以形成薄膜,並沉積在基板上。在此過程中,還會產生具有揮發性的副產物,這些副產物會被流過反應室的氣流除去。基板溫度非常重要,會影響腔室內製程的反應。                                                                                                                                                      

 

 


  Figure 2: 示意圖-化學氣相沉積涉及的步驟

 

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