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設備產品

感應耦合電漿化學氣相沉積設備

 

 

ICP-CVD 感應耦合電漿化學氣相沉積(ICP-CVD)是一種使用ICP的化學氣相沉積技術,可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源,有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

SYSKEY的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載台溫度),並提供高品質的薄膜。

 

 

 

      3 D Graphene


 

應用領域 腔體
  • 奈米碳管與石墨烯製程。
  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜製程
  • 二維材料
  • 醫療和商業產品的耐磨薄膜
  • 陽極電鍍處理鋁腔
  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度

 

配置和優點 選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達12寸晶圓
  • 腔體壓力:50~10-3 Torr
  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可擴充10條氣體管線
  • 穩定的溫度控制,將載盤加熱至700°C
  • 使用Tornado ICP線圈,ICP電漿範圍為50W ~2000W,滿足客戶ICP-CVD製程需求
  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起
  • RPS用於腔體清潔
  • 橢圓偏振光譜儀
  • 發射光譜儀
  • 高真空傳送系統

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