ALD Атомно-слоевое осаждение – одна из самых важных технологий нанесения тонких плёнок, основанная на последовательном использовании газофазного химического осаждения; его  можно рассматривать как особый тип химического осаждения из газовой фазы (CVD). Большинство химических реакций ALD используют два или более химических соединений, называемых прекурсорами (также называются "реагентами"). Эти прекурсоры реагируют с поверхностью материала друг за другом последовательным, самоограничивающимся способом. Через несколько циклов медленно осаждается тонкая пленка. ALD является важным процессом в производстве полупроводниковых приборов и частью доступного инструментария для синтеза наноматериалов.

ALD-процесс обладает рядом преимуществ, таких как отличная однородность, конформность пленки с одинаковой толщиной пленки, нанесенной на поверхность пластины даже сложной формы, низкая температура процесса. Поэтому ALD применяется во многих областях микроэлектроники, нанотехнологий и биотехнологий, где часто работают на мягких подложках, таких как органические и биологические образцы.