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原子層沉積設備
原子層沉積(ALD)為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應,將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數,緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350oC)。
SYSKEY的系統可以精準的控制ALD的製程,薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1%。